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일반적으로 말하면

일반적으로 반도체 소자의 개발, 생산, 사용 과정에서 작은 실패를 피하기는 어렵습니다.제품 품질 요구 사항이 지속적으로 개선됨에 따라 고장 분석이 점점 더 중요해지고 있습니다.특정 불량 칩을 분석함으로써 회로 설계자가 장치 설계 결함, 프로세스 매개변수 불일치, 주변 회로의 불합리한 설계 또는 문제로 인한 오작동을 찾는 데 도움이 될 수 있습니다.반도체 장치의 고장 분석의 필요성은 주로 다음과 같은 측면에서 나타납니다.

(1) 고장 분석은 장치 칩의 고장 메커니즘을 결정하는 데 필요한 수단입니다.

(2) 고장 분석은 효과적인 고장 진단을 위해 필요한 기초와 정보를 제공합니다.

(3) 고장 분석은 설계 엔지니어가 칩 설계를 지속적으로 개선 또는 수리하고 설계 사양에 따라 보다 합리적으로 만드는 데 필요한 피드백 정보를 제공합니다.

(4) 불량 분석은 생산 테스트에 필요한 보완을 제공하고 검증 테스트 프로세스의 최적화를 위해 필요한 정보 기반을 제공할 수 있습니다.

반도체 다이오드, 오디오, 집적회로의 불량 분석을 위해서는 먼저 전기적 매개변수를 테스트해야 하며, 광학현미경으로 외관 검사를 한 후 포장을 제거해야 합니다.칩 기능의 무결성을 유지하면서 다음 분석 단계를 준비할 수 있도록 내부 및 외부 리드, 결합 지점 및 칩 표면을 최대한 유지해야 합니다.

이 분석을 수행하기 위해 주사 전자 현미경 및 에너지 스펙트럼을 사용합니다. 미세한 형태 관찰, 고장 지점 검색, 결함 지점 관찰 및 위치, 장치의 미세한 기하학적 크기 및 거친 표면 전위 분포의 정확한 측정, 디지털 게이트의 논리 판단 등이 포함됩니다. 회로(전압 대비 이미지 방법 사용);이 분석을 수행하려면 에너지 분광계 또는 분광계를 사용하십시오: 미시적 요소 구성 분석, 재료 구조 또는 오염 물질 분석.

01. 반도체 소자의 표면 결함 및 화상

그림 1에 표시된 것처럼 반도체 장치의 표면 결함과 번아웃은 모두 일반적인 고장 모드이며, 이는 집적 회로의 정제된 층의 결함입니다.

dthrf (1)

그림 2는 집적회로의 금속층의 표면 결함을 보여줍니다.

dthrf (2)

그림 3은 집적 회로의 두 금속 스트립 사이의 항복 채널을 보여줍니다.

dthrf (3)

그림 4는 마이크로파 장치의 에어 브릿지에서 금속 스트립 붕괴 및 스큐 변형을 보여줍니다.

dthrf (4)

그림 5는 마이크로파 튜브의 그리드 단선을 보여줍니다.

dthrf (5)

그림 6은 통합된 전기 금속 와이어의 기계적 손상을 보여줍니다.

dthrf (6)

그림 7은 메사 다이오드 칩 개방 및 결함을 보여줍니다.

dthrf (7)

그림 8은 집적 회로 입력에서 보호 다이오드의 고장을 보여줍니다.

dthrf (8)

그림 9는 집적회로 칩의 표면이 기계적 충격에 의해 손상되는 모습을 보여준다.

dthrf (9)

그림 10은 집적 회로 칩의 부분적인 소손을 보여줍니다.

dthrf (10)

그림 11은 다이오드 칩이 파손되어 심하게 연소되었으며 파손 지점이 용융 상태로 변한 것을 보여줍니다.

dthrf (11)

그림 12는 질화갈륨 마이크로파 동력관 칩이 연소된 모습을 보여주며, 연소된 지점은 용융된 스퍼터링 상태를 나타냅니다.

02. 정전기 파괴

제조, 포장, 운송에서부터 삽입, 용접, 기계 조립 및 기타 공정을 위한 회로 기판에 이르기까지 반도체 장치는 정전기의 위협을 받고 있습니다.이 과정에서 잦은 이동과 외부에서 발생하는 정전기에 쉽게 노출되어 교통수단이 손상됩니다.따라서 손실을 줄이기 위해 전송 및 운송 중 정전기 보호에 특별한 주의를 기울여야 합니다.

단극 MOS 튜브 및 MOS 집적 회로를 갖춘 반도체 장치에서는 자체 입력 저항이 매우 높고 게이트 소스 전극 커패시턴스가 매우 작기 때문에 정전기, 특히 MOS 튜브에 특히 민감합니다. 외부 전자기장이나 정전기 유도에 의해 영향을 받아 대전되며, 정전기 발생으로 인해 적시에 전하를 방전시키기 어렵기 때문에 정전기가 축적되어 순간적인 기기 파손을 일으키기 쉽습니다.정전기 파괴의 형태는 주로 전기적 독창적인 파괴입니다. 즉, 그리드의 얇은 산화물 층이 파괴되어 핀홀을 형성하여 그리드와 소스 사이 또는 그리드와 드레인 사이의 간격을 단락시킵니다.

그리고 MOS 튜브에 비해 MOS 집적 회로의 정전기 방지 항복 능력은 MOS 집적 회로의 입력 단자에 보호 다이오드가 장착되어 있기 때문에 상대적으로 약간 더 좋습니다.대부분의 보호 다이오드에 큰 정전기 전압 또는 서지 전압이 발생하면 접지로 전환할 수 있지만 전압이 너무 높거나 순간 증폭 전류가 너무 크면 그림과 같이 때로는 보호 다이오드 자체가 접지됩니다. 8.

그림 13에 표시된 여러 그림은 MOS 집적 회로의 정전기 파괴 지형입니다.파괴점은 작고 깊어 용융된 스퍼터링 상태를 나타냅니다.

dthrf (12)

그림 14는 컴퓨터 하드디스크 자기헤드의 정전기 파괴 현상을 보여준다.

dthrf (13)

게시 시간: 2023년 7월 8일