하드웨어 엔지니어의 많은 프로젝트가 홀 보드에서 완료되지만 전원 공급 장치의 양극 및 음극 단자를 실수로 연결하는 현상이 있어 많은 전자 부품이 연소되고 심지어 전체 보드가 파괴되어야 합니다. 다시 용접을 해야 하는데 어떤 좋은 방법으로 해결해야 할지 모르겠습니다.
우선, 부주의는 불가피합니다. 빨간색과 검은색의 양극선과 음극선을 구별하는 것뿐이지만 한 번 배선하면 실수하지 않습니다.10개의 연결은 잘못되지 않지만 1,000개?10,000은 어떻습니까?현재로서는 우리의 부주의로 인해 일부 전자 부품과 칩이 소손되었다고 말하기 어렵습니다. 주된 이유는 전류가 너무 많이 앰배서더 부품이 파손되었기 때문이므로 역접속을 방지하기 위한 조치를 취해야 합니다. .
일반적으로 사용되는 방법은 다음과 같습니다.
01 다이오드 직렬형 역전방지 보호회로
순방향 다이오드는 다이오드의 순방향 전도 및 역방향 차단 특성을 최대한 활용하기 위해 양극 전원 입력에 직렬로 연결됩니다.정상적인 상황에서는 보조 튜브가 전도되고 회로 기판이 작동합니다.
전원 공급 장치가 반전되면 다이오드가 차단되고 전원 공급 장치가 루프를 형성할 수 없으며 회로 기판이 작동하지 않아 전원 공급 장치의 문제를 효과적으로 방지할 수 있습니다.
02 정류기 브릿지형 역전방지 보호회로
정류기 브리지를 사용하여 전원 입력을 무극성 입력으로 변경합니다. 전원 공급 장치가 연결되든 반전되든 보드는 정상적으로 작동합니다.
실리콘 다이오드의 압력 강하가 약 0.6~0.8V이면 게르마늄 다이오드도 약 0.2~0.4V의 압력 강하를 가지며, 압력 강하가 너무 크면 MOS 튜브를 반반응 처리에 사용할 수 있으며, MOS 튜브의 압력 강하는 최대 몇 밀리옴으로 매우 작으며 압력 강하는 거의 무시할 수 있습니다.
03 MOS 튜브 역전 방지 보호 회로
공정 개선, 자체 특성 및 기타 요인으로 인해 MOS 튜브의 전도 내부 저항은 작으며 대부분은 밀리옴 수준이거나 더 작으므로 회로 전압 강하, 회로로 인한 전력 손실은 특히 작거나 심지어 무시할 수 있습니다. , 따라서 회로를 보호하기 위해 MOS 튜브를 선택하는 것이 더 권장되는 방법입니다.
1) NMOS 보호
아래와 같이 전원을 켜는 순간 MOS 튜브의 기생 다이오드가 켜지고 시스템이 루프를 형성합니다.소스 S의 전위는 약 0.6V인 반면, 게이트 G의 전위는 Vbat입니다.MOS 튜브의 개방 전압은 매우 높습니다. Ugs = Vbat-Vs, 게이트는 높고 NMOS의 ds는 켜져 있으며 기생 다이오드는 단락되고 시스템은 NMOS의 ds 액세스를 통해 루프를 형성합니다.
전원이 반전되면 NMOS의 온전압이 0이 되어 NMOS가 차단되고 기생다이오드가 반전되어 회로가 단절되어 보호된다.
2) PMOS 보호
아래와 같이 전원을 켜는 순간 MOS 튜브의 기생 다이오드가 켜지고 시스템이 루프를 형성합니다.소스 S의 전위는 약 Vbat-0.6V인 반면 게이트 G의 전위는 0입니다. MOS 튜브의 개방 전압은 매우 높습니다. Ugs = 0 – (Vbat-0.6), 게이트는 낮은 레벨로 동작합니다. , PMOS의 ds가 켜져 있고 기생 다이오드가 단락되어 시스템이 PMOS의 ds 액세스를 통해 루프를 형성합니다.
전원이 반전되면 NMOS의 온전압이 0보다 커지고 PMOS가 차단되고 기생 다이오드가 반전되어 회로가 단절되어 보호된다.
참고: NMOS 튜브 스트링 ds는 음극에, PMOS 튜브 스트링 ds는 양극에, 기생 다이오드 방향은 올바르게 연결된 전류 방향을 향합니다.
MOS 튜브의 D 및 S 극에 대한 액세스: 일반적으로 N 채널이 있는 MOS 튜브를 사용할 때 전류는 일반적으로 D 극에서 들어가 S 극에서 흘러나오고 PMOS는 S에서 들어가고 D가 나옵니다. 이 회로에 적용하면 그 반대가 되며 기생 다이오드의 전도를 통해 MOS 튜브의 전압 조건이 충족됩니다.
G극과 S극 사이에 적절한 전압이 설정되면 MOS 튜브는 완전히 켜집니다.도통 후에는 D와 S 사이에 스위치가 닫혀 있는 것과 같으며, 전류는 D에서 S로 또는 S에서 D로 동일한 저항이 됩니다.
실제 적용에서 G 극은 일반적으로 저항과 연결되며 MOS 튜브가 파손되는 것을 방지하기 위해 전압 조정기 다이오드를 추가할 수도 있습니다.분배기에 병렬로 연결된 커패시터에는 소프트 스타트 효과가 있습니다.전류가 흐르기 시작하는 순간 커패시터는 충전되고 G극의 전압은 점차 높아진다.
PMOS의 경우 NOMS와 비교하여 Vgs가 임계 전압보다 높아야 합니다.개방전압이 0이 될 수 있으므로 DS간의 압력차이가 크지 않아 NMOS보다 유리하다.
04 퓨즈 보호
퓨즈로 전원 공급 장치 부분을 연 후 많은 일반 전자 제품을 볼 수 있습니다. 전원 공급 장치가 역전되어 큰 전류로 인해 회로에 단락이 발생하고 퓨즈가 끊어져 보호 역할을 합니다. 회로이지만 이런 식으로 수리하고 교체하는 것이 더 번거롭습니다.
게시 시간: 2023년 7월 10일