에너지 저장 시스템의 비용은 주로 배터리와 에너지 저장 인버터로 구성됩니다. 이 두 가지가 전기화학적 에너지 저장 시스템 비용의 80%를 차지하며, 그 중 에너지 저장 인버터가 20%를 차지한다. IGBT 절연 그리드 바이폴라 크리스털은 에너지 저장 인버터의 업스트림 원료입니다. IGBT의 성능은 에너지저장장치 인버터의 성능을 결정하며, 인버터 가치의 20~30%를 차지한다.
에너지 저장 분야에서 IGBT의 주요 역할은 에너지 저장 애플리케이션에 없어서는 안될 장치인 변압기, 주파수 변환, 인터볼루션 변환 등입니다.
그림: IGBT 모듈
에너지 저장 변수의 업스트림 원자재에는 IGBT, 정전 용량, 저항, 전기 저항, PCB 등이 포함됩니다. 그중 IGBT는 여전히 주로 수입에 의존하고 있습니다. 국내 IGBT 기술 수준과 세계 최고 수준은 여전히 격차가 있다. 그러나 중국의 에너지 저장 산업이 급속히 발전함에 따라 IGBT의 국산화 과정도 가속화될 것으로 예상된다.
IGBT 에너지 저장 애플리케이션 가치
태양광에 비해 에너지 저장 IGBT의 가치는 상대적으로 높습니다. 에너지 저장은 두 가지 링크인 DCDC와 DCAC를 포함하는 더 많은 IGBT와 SIC를 사용하며 두 가지 솔루션, 즉 광 저장 통합 및 별도 에너지 저장 시스템을 포함합니다. 독립형 에너지 저장 시스템인 전력반도체 소자의 양은 태양광 발전량의 약 1.5배에 이른다. 현재 광저장장치가 60~70% 이상을 차지하고 있으며, 별도의 에너지저장장치가 30%를 차지하고 있다.
그림: BYD IGBT 모듈
IGBT는 다양한 응용층을 갖고 있어 에너지 저장 인버터에서 MOSFET보다 유리하다. 실제 프로젝트에서 IGBT는 점차적으로 태양광 인버터 및 풍력 발전의 핵심 장치로서 MOSFET을 대체해 왔습니다. 신에너지 발전 산업의 급속한 발전은 IGBT 산업의 새로운 원동력이 될 것입니다.
IGBT는 에너지 변환 및 전송을 위한 핵심 장치입니다.
IGBT는 밸브 제어로 전자 양방향(다방향) 흐름을 제어하는 트랜지스터로 완전히 이해될 수 있습니다.
IGBT는 BJT 양극 3극관과 절연 그리드 전계 효과 튜브로 구성된 복합 완전 제어 전압 구동 전력 반도체 장치입니다. 압력 강하의 두 가지 측면의 장점.
그림: IGBT 모듈 구조 개략도
IGBT의 스위치 기능은 IGBT를 구동하기 위해 PNP 트랜지스터에 베이스 전류를 제공하기 위해 게이트 전압에 양극을 추가하여 채널을 형성하는 것입니다. 반대로, 역 도어 전압을 추가하여 채널을 제거하고 역 베이스 전류를 통해 흐르며 IGBT를 끕니다. IGBT의 구동 방식은 기본적으로 MOSFET과 동일합니다. 입력 폴 N 1채널 MOSFET만 제어하면 되므로 높은 입력 임피던스 특성을 갖습니다.
IGBT는 에너지 변환 및 전송의 핵심 장치입니다. 일반적으로 전기 전자 장치의 "CPU"로 알려져 있습니다. 국가 전략 신흥 산업으로서 신에너지 장비 및 기타 분야에서 널리 사용되고 있습니다.
IGBT는 높은 입력 임피던스, 낮은 제어 전력, 간단한 구동 회로, 빠른 스위칭 속도, 큰 상태 전류, 전환 압력 감소, 작은 손실 등 많은 장점을 가지고 있습니다. 따라서 현재 시장 환경에서 절대적인 이점을 가지고 있습니다.
따라서 IGBT는 현재 전력 반도체 시장의 가장 주류가 되었습니다. 신에너지 발전, 전기 자동차 및 충전 파일, 전기 선박, DC 송전, 에너지 저장, 산업용 전기 제어 및 에너지 절약 등 많은 분야에서 널리 사용됩니다.
수치:인피니언IGBT 모듈
IGBT 분류
다양한 제품 구조에 따라 IGBT에는 단일 파이프, IGBT 모듈 및 스마트 전력 모듈 IPM의 세 가지 유형이 있습니다.
(충전 파일) 및 기타 분야(대부분 현재 시장에서 판매되는 모듈식 제품). 지능형 전력 모듈 IPM은 주로 인버터 에어컨, 주파수 변환 세탁기 등 백색 가전 분야에서 널리 사용됩니다.
IGBT는 애플리케이션 시나리오의 전압에 따라 초저전압, 저전압, 중전압, 고전압 등의 유형이 있습니다.
그중 신에너지 차량, 산업 제어, 가전제품에 사용되는 IGBT는 주로 중전압인 반면, 철도 운송, 신에너지 발전 및 스마트 그리드에는 주로 고전압 IGBT를 사용하여 더 높은 전압 요구 사항이 있습니다.
IGBT는 대부분 모듈 형태로 나타난다. IHS 데이터에 따르면 모듈과 단일 튜브의 비율은 3:1입니다. 모듈은 IGBT 칩과 FWD(연속 다이오드 칩)를 맞춤형 회로 브리지를 통해 플라스틱 프레임, 기판 및 기판을 통해 만든 모듈형 반도체 제품입니다. , 등.
M현재 상황:
중국 기업은 급성장하고 있으며, 현재는 수입에 의존하고 있다.
2022년 우리나라 IGBT 산업 생산량은 4,100만 개, 수요는 약 1억 5,600만 개, 자급률은 26.3%이다. 현재 국내 IGBT 시장은 Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, Fuji Electric 등 해외 제조업체가 주로 점유하고 있으며 그 중 Yingfei Ling이 15.9%로 가장 높은 비중을 차지합니다.
IGBT 모듈 시장 CR3는 56.91%에 이르렀고, 국내 제조사 스타디렉터와 CRRC의 5.01% 시대 점유율은 5.01%에 달했다. 글로벌 IGBT 분할 장치의 상위 3개 제조업체 시장 점유율은 53.24%에 달했습니다. 국내 제조업체는 3.5%의 시장 점유율로 글로벌 IGBT 장치 시장 점유율 상위 10위에 진입했습니다.
IGBT는 대부분 모듈 형태로 나타난다. IHS 데이터에 따르면 모듈과 단일 튜브의 비율은 3:1입니다. 모듈은 IGBT 칩과 FWD(연속 다이오드 칩)를 맞춤형 회로 브리지를 통해 플라스틱 프레임, 기판 및 기판을 통해 만든 모듈형 반도체 제품입니다. , 등.
M현재 상황:
중국 기업은 급성장하고 있으며, 현재는 수입에 의존하고 있다.
2022년 우리나라 IGBT 산업 생산량은 4,100만 개, 수요는 약 1억 5,600만 개, 자급률은 26.3%이다. 현재 국내 IGBT 시장은 Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, Fuji Electric 등 해외 제조업체가 주로 점유하고 있으며 그 중 Yingfei Ling이 15.9%로 가장 높은 비중을 차지합니다.
IGBT 모듈 시장 CR3는 56.91%에 이르렀고, 국내 제조사 스타디렉터와 CRRC의 5.01% 시대 점유율은 5.01%에 달했다. 글로벌 IGBT 분할 장치의 상위 3개 제조업체 시장 점유율은 53.24%에 달했습니다. 국내 제조업체는 3.5%의 시장 점유율로 글로벌 IGBT 장치 시장 점유율 상위 10위에 진입했습니다.
게시 시간: 2023년 7월 8일
